Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 06.05)

+380 (68) 766-43-61
+380 (93) 170-02-58
ZAKUPUS
Корзина

Биполярный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P защитный диод

148 ₴

137 ₴

Показать оптовые цены
  • В наличии
  • Оптом и в розницу
  • Код: 521164
Биполярный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P защитный диод
Биполярный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P защитный диодВ наличии
148 ₴137 ₴
+380 (68) 766-43-61
Київстар
  • +380 (93) 170-02-58
    Лайф
  • +380 (44) 237-13-58
    Міський
+380 (68) 766-43-61
Київстар
  • +380 (93) 170-02-58
    Лайф
  • +380 (44) 237-13-58
    Міський
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Биполярный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P — высокопроизводительный n-канальный силовой транзистор с изолированным затвором, предназначенный для управления высоковольтными и высокотоковыми нагрузками. Благодаря максимальному напряжению коллектор-эмиттер 1200 В и максимальному току 50 А этот транзистор широко используется в промышленных инверторах, преобразователях, приводах двигателей и системах питания. Встроенный защитный диод обеспечивает дополнительную защиту и повышает надежность работы устройства даже в условиях высоких нагрузок. Надежный корпус TO-3P способствует эффективному теплоотводу, что критически важно для стабильной работы транзистора.

Преимущества

  • Высокое максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 1200 В
  • Максимальный ток коллектор-эмиттер до 50 А
  • Изолированный затвор (IGBT) для эффективного управления
  • Встроенный защитный диод с прямым током 25 А
  • Корпус TO-3P с улучшенным теплоотводом
  • Высокая надежность и долговечность в эксплуатации

Сферы применения

  • Промышленные инверторы и преобразователи
  • Системы управления электродвигателями
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Мощные блоки питания
  • Энергетическое оборудование
  • Ремонт и разработка силовой электроники

Основные характеристики

  • Модель: FGA25N120
  • Тип корпуса: TO-3P
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
  • Максимальный ток коллектор-эмиттер: 50 А
  • Управляющее напряжение затвора: 5.5 В
  • Прямой ток диода: 25 А
  • Тип транзистора: IGBT (изолированный затвор)

Комплектация

  • IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P с встроенным защитным диодом
Характеристики
Пользовательские характеристики
Гарантиявід 1 місяця, детальніше уточнюйте у продавця
Дополнительные характеристикиМаксимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
КомплектацияЧип
Информация для заказа
  • Цена: 137 ₴