Біполярний IGBT транзистор FGA25N120 у корпусі TO-3P захисний діод
148 ₴
137 ₴
Показати оптові ціни- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: 521164
- +380 (93) 170-02-58Лайф
- +380 (44) 237-13-58Міський
Біполярний IGBT транзистор FGA25N120 у корпусі TO-3P — високопродуктивний n-канальний силовий транзистор із ізольованим затвором, призначений для керування високовольтними і високострумовими навантаженнями. Завдяки максимальному напрузі колектор-емітер 1200 В і максимальному струму 50 А цей транзистор широко використовується в промислових інверторах, перетворювачах, двигунозапускачах і системах живлення. Вбудований захисний діод забезпечує додатковий захист і підвищує надійність роботи пристрою навіть в умовах високих навантажень. Надійний корпус TO-3P сприяє ефективному тепловідведенню, що є критично важливим для стабільної роботи транзистора.
Переваги
- Високе максимальне напруження колектор-емітер — 1200 В
- Максимальний струм колектор-емітер до 50 А
- Ізольований затвор (IGBT) для ефективного керування
- Вбудований захисний діод із прямим струмом 25 А
- Корпус TO-3P із покращеним тепловідведенням
- Висока надійність і довговічність в експлуатації
Сфери використання
- Промислові інвертори та перетворювачі
- Системи керування електродвигунами
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Потужні блоки живлення
- Енергетичне обладнання
- Ремонт та розробка силової електроніки
Основні характеристики
- Модель: FGA25N120
- Тип корпусу: TO-3P
- Максимальне напруга колектор-емітер: 1200 В
- Максимальний струм колектор-емітер: 50 А
- Управляюче напруга затвора: 5.5 В
- Прямий струм діода: 25 А
- Тип транзистора: IGBT (ізольований затвор)
Комплектація
- IGBT транзистор FGA25N120 у корпусі TO-3P з вбудованим захисним діодом
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Гарантія | від 1 місяця, детальніше уточнюйте у продавця |
| Додаткові характеристики | Максимальна напруга колектор-емітер: 1200 |
| Комплектація | Чіп |
- Ціна: 137 ₴



