Биполярный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P защитный диод
148 ₴
137 ₴
Показать оптовые цены- В наличии
- Оптом и в розницу
- Код: 521164
- +380 (93) 170-02-58Лайф
- +380 (44) 237-13-58Міський
Биполярный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P — высокопроизводительный n-канальный силовой транзистор с изолированным затвором, предназначенный для управления высоковольтными и высокотоковыми нагрузками. Благодаря максимальному напряжению коллектор-эмиттер 1200 В и максимальному току 50 А этот транзистор широко используется в промышленных инверторах, преобразователях, приводах двигателей и системах питания. Встроенный защитный диод обеспечивает дополнительную защиту и повышает надежность работы устройства даже в условиях высоких нагрузок. Надежный корпус TO-3P способствует эффективному теплоотводу, что критически важно для стабильной работы транзистора.
Преимущества
- Высокое максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 1200 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер до 50 А
- Изолированный затвор (IGBT) для эффективного управления
- Встроенный защитный диод с прямым током 25 А
- Корпус TO-3P с улучшенным теплоотводом
- Высокая надежность и долговечность в эксплуатации
Сферы применения
- Промышленные инверторы и преобразователи
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Мощные блоки питания
- Энергетическое оборудование
- Ремонт и разработка силовой электроники
Основные характеристики
- Модель: FGA25N120
- Тип корпуса: TO-3P
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 50 А
- Управляющее напряжение затвора: 5.5 В
- Прямой ток диода: 25 А
- Тип транзистора: IGBT (изолированный затвор)
Комплектация
- IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P с встроенным защитным диодом
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Гарантия | від 1 місяця, детальніше уточнюйте у продавця |
| Дополнительные характеристики | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В |
| Комплектация | Чип |
- Цена: 137 ₴



